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发展历史


FCCL

2000 ~ 2010

: 溅射和镀铜工艺的发展

沉积设备

2005 ~ 2011

: FCCL降低成本项目

ITO金属
挡板

2005 ~ 2011

: ITO薄膜上沉积金属挡板
(与3M合并,设备业务分拆,现在TETOS)

银浆

2014 ~ 现在

: Cu枝晶表面Ag溅射。
(散热,导电材料)

焊球

2015 ~ 现在

: 半导体封装(BGA焊接)材料

EMI薄膜
金属沉积

2017 ~ 现在

: 在纳米纤维,铜柱等表面进行金属溅射
(半导体屏蔽替换,EMI Shielder)